Información Básica.
No. de Modelo.
PD85035S-E
Capacidad de Producción
3000000000
Descripción de Producto
Fabricante: STMicroelectronics
Categoría del producto: semiconductor de óxido metálico de radiofrecuencia (RF de efecto campo transistores MOSFET)
El transistor de canal N con la polaridad:
Tecnología: Si
ID - drenaje continuo actual: 8
VDS - Drenaje de fuente de voltaje de ruptura: 40 V
La frecuencia de funcionamiento: 1 GHz
Ganancia: 14,9dB
Potencia de salida: 35 W
Temperatura mínima de funcionamiento: -65 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Estilo de instalación: SMD/SMT
Package/Caja: PowerSO-10RF-recto-4
El tubo de embalaje:
Configuración: Solo
Altura: 3,5 mm
Longitud: 7,5 mm
Serie: PD85035 - E
Tipo: MOSFET DE POTENCIA RF
Ancho: 9,4 mm
Marca: STMicroelectronics
El modo de canal: Mejora
La sensibilidad de la humedad: Sí.
PD-disipación de potencia: 95 W
Los transistores MOSFET RF
La cantidad de embalaje de fábrica: 400
Subcategoría: MOSFETS
VGS - Grid la tensión de fuente: 15 V
Unidad de peso: 3 g
Queridos amigos, por favor, comparar las imágenes antes de comprar para evitar la compra del mal, ¡gracias!
Envío:
1, por favor, asegúrese de que su dirección de envío es correcta, apoyamos el envío por Fedex, UPS, DHL ,China Post,SpeedPAK,EMS, DHL Global Mail ,.
2,La hora de entrega está cerca de 5-7 días de trabajo. Si usted compra más cantidad, puede ser necesario esperar más tiempo.
China Post : Acerca de 15-60 días (los distintos países o incluso más)
hora de entrega:acerca de 5-20 días
EMS: acerca de 5-20 días (los distintos países o incluso más)
DHL/UPS/Fedex: unos 5-7 días (los distintos países o incluso más)
Nota: no hay servicio de DHL para determinados países, utilizaremos SME .
Garantía y devoluciones:
1 año de garantía. Si usted se siente decepcionado con el tema, nos dice en 7 días de entrega. Condiciones regresar / intercambio temas deben ser devueltos.
Por favor no envíe a la dirección. Póngase en contacto con nosotros, y luego regresar a su dirección de retorno, de lo contrario no seremos capaces de obtener su paquete de vuelta, no vamos a aceptar la solicitud de reembolso.
Entendemos que puede haber retrocesos, nos preocupamos por cada comprador y haremos nuestro mejor esfuerzo para resolver cualquier problema en un buen negocio.
Comentarios:
La satisfacción del cliente es muy importante para nosotros.
Si estás satisfecho con nuestro servicio, los detalles de la transacción, y la evaluación de un perfecto comentarios "positivos" para darnos una valoración positiva. Vamos a hacer lo mismo automáticamente para usted.
Si no estás satisfecho con los elementos del pedido, póngase en contacto con nosotros antes de salir de retroalimentación negativa, trabajaremos con usted para resolver el problema.
¡Gracias!
Categoría del producto: semiconductor de óxido metálico de radiofrecuencia (RF de efecto campo transistores MOSFET)
El transistor de canal N con la polaridad:
Tecnología: Si
ID - drenaje continuo actual: 8
VDS - Drenaje de fuente de voltaje de ruptura: 40 V
La frecuencia de funcionamiento: 1 GHz
Ganancia: 14,9dB
Potencia de salida: 35 W
Temperatura mínima de funcionamiento: -65 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Estilo de instalación: SMD/SMT
Package/Caja: PowerSO-10RF-recto-4
El tubo de embalaje:
Configuración: Solo
Altura: 3,5 mm
Longitud: 7,5 mm
Serie: PD85035 - E
Tipo: MOSFET DE POTENCIA RF
Ancho: 9,4 mm
Marca: STMicroelectronics
El modo de canal: Mejora
La sensibilidad de la humedad: Sí.
PD-disipación de potencia: 95 W
Los transistores MOSFET RF
La cantidad de embalaje de fábrica: 400
Subcategoría: MOSFETS
VGS - Grid la tensión de fuente: 15 V
Unidad de peso: 3 g
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1, por favor, asegúrese de que su dirección de envío es correcta, apoyamos el envío por Fedex, UPS, DHL ,China Post,SpeedPAK,EMS, DHL Global Mail ,.
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